0.1 – 10 GHz 0.5W Yüksek Verimli Tek Transistörlü GaAs pHEMT Güç Kuvvetlendiricisinin Yük Taraması Yöntemi Kullanılarak Tasarımı


SAYGINER M., YAZGI M., KUNTMAN H. H.

SIU 2011, Türkiye, 20 Nisan 2011

  • Yayın Türü: Bildiri / Tam Metin Bildiri
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • İstanbul Teknik Üniversitesi Adresli: Evet