RETARDATION OF NUCLEATION RATE FOR GRAIN-SIZE ENHANCEMENT BY DEEP SILICON ION-IMPLANTATION OF LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITED AMORPHOUS-SILICON FILMS

WU I., CHIANG A., FUSE M., OVECOGLU L., HUANG T.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, cilt.65, sa.10, ss.4036-4039, 1989 (SCI-Expanded) identifier identifier

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 65 Sayı: 10
  • Basım Tarihi: 1989
  • Doi Numarası: 10.1063/1.343327
  • Dergi Adı: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Sayfa Sayıları: ss.4036-4039
  • İstanbul Teknik Üniversitesi Adresli: Hayır